AMD新插槽AM5 被发现，未来6年硬盘容量将再翻数倍，技术升级助力存储革命

在开源软件MC Extractor近期的更新日志中，首次提到了AMD的AM5+平台。

有关AM5+我们现在知道的还很少，有观点认为它将在2026年的某个时间问世，并且会跟现有的AM5保持一定程度上的兼容性。

至于为什么要在AM5的基础上推出AM5+，或许可以参考过去的AM3和AM3+。AM5插槽有1718个引脚，但当前AM5处理器并没有启用全部的引脚。AM5+可能会发挥预留引脚的作用，引入更多的新功能，如USB4 v2.0。

AM5到AM5+的升级可能还包括支持更强的供电能力，更先进的电压控制技术。或者改进的散热扣具设计，这些都曾发生在AM3到AM3+的升级中。

未来6年硬盘容量将再翻数倍：

希捷近日表示已掌握多层HAMR热辅助磁记录技术，可在碟片的一面上实现两个不同的记录层。通过不同的磁场合温度分别记录不同数据，从而获得翻倍的容量提升。

此外，通过更精细化的磁记录介质，缩小颗粒体积，有望将存储密度从每平方英寸2.6Tbit提升到每平方英尺8Tbit。

在这些新技术的帮助下，希捷认为能够在2030年实现120TB的单盘容量。当然这并不是希捷第一次放卫星了，相关技术有可能会在未来实现量产，但时间点有可能比其宣称的晚很多。

SSD方面，铠侠在近期举办的应用物理学会议上讨论了1000层堆叠3D NAND闪存所面临的技术挑战和解决方案。铠侠当前最新的BiCS8闪存具有218层堆叠，铠侠计划在2031年实现1000层堆叠3D闪存的量产。更高的堆叠层数将带来更高存储密度，推动SSD容量不断增长和单位容量价格持续下降。